[实用新型]一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器

摘要

本实用新型涉及压控振荡器技术领域，且公开了一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2，所述第一MOS管M1的源极接VDD，所述第一MOS管M1的栅极接输入Vin，所述第一MOS管M1的漏极分别与第一电感Lc1和第二电感Lc2相连。本实用新型通过在并联节点增设第三电感La1和第四电感La2，使电流流向所受到的阻碍增大，从而提高电路的阻抗值，而且由于第一MOS管M1的源极接VDD，对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，从而有效的降低了相位噪声，使相位噪声的性能更优，而且也不会对信号源有任何影响。

主权项

1.一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2，其特征在于：所述第一MOS管M1的源极接VDD，所述第一MOS管M1的栅极接输入Vin，所述第一MOS管M1的漏极分别与第一电感Lc1和第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第一电容C1和第二电容C2与第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第三电感La1与输出‑Vout相连，所述第二电感Lc2通过第四电感La2与输出+Vout相连，所述第二MOS管M2的源极接地，且第二MOS管M2的栅极接输出+Vout，所述第二MOS管M2的漏极接输出‑Vout，第三MOS管M3的源极接地，所述第三MOS管M3的栅极接输出‑Vout，且第三MOS管M3的漏极接输出+Vout。