[实用新型]一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器有效
| 申请号： | 201821764850.9 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN208924192U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 唐一倩;许美程;沈剑均 | 申请（专利权）人： | 南京集澈电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 压控振荡器 本实用新型 相位噪声 高阻抗 电容 源极 电路 并联节点 电流流向 电压驱动 输入阻抗 电压源 信号源 漏极 阻抗 增设 驱动 阻碍 | ||
1.一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2，其特征在于：所述第一MOS管M1的源极接VDD，所述第一MOS管M1的栅极接输入Vin，所述第一MOS管M1的漏极分别与第一电感Lc1和第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第一电容C1和第二电容C2与第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第三电感La1与输出-Vout相连，所述第二电感Lc2通过第四电感La2与输出+Vout相连，所述第二MOS管M2的源极接地，且第二MOS管M2的栅极接输出+Vout，所述第二MOS管M2的漏极接输出-Vout，第三MOS管M3的源极接地，所述第三MOS管M3的栅极接输出-Vout，且第三MOS管M3的漏极接输出+Vout。
2.根据权利要求1所述的一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，其特征在于：所述第一电容C1和第二电容C2的容值相等，且第一电容C1和第二电容C2均为耦合电容。
3.根据权利要求1所述的一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，其特征在于：所述第三电感La1和第四电感La2均为阻流电感。
4.根据权利要求1所述的一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，其特征在于：所述第二电感Lc2和第四电感La2通过第二MOS管M2的源极接地。
5.根据权利要求1所述的一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，其特征在于：所述第一电感Lc1和第三电感La1通过第三MOS管M3的源极接地。
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