[实用新型]一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器

说明书

本实用新型涉及压控振荡器技术领域，且公开了一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2，所述第一MOS管M1的源极接VDD，所述第一MOS管M1的栅极接输入Vin，所述第一MOS管M1的漏极分别与第一电感Lc1和第二电感Lc2相连。本实用新型通过在并联节点增设第三电感La1和第四电感La2，使电流流向所受到的阻碍增大，从而提高电路的阻抗值，而且由于第一MOS管M1的源极接VDD，对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，从而有效的降低了相位噪声，使相位噪声的性能更优，而且也不会对信号源有任何影响。

技术领域

本实用新型涉及压控振荡器技术领域，具体为一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器。

背景技术

压控振荡器是指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO)，频率是输入信号电压的函数的振荡器VCO，振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制，就可构成一个压控振荡器。

目前，在主流的CMOS工艺中设计压控振荡器，仍面临着一些技术挑战。主要问题在于如何降低相位噪声，得到性能更好的压控振荡器。本方案将提出一种新的结构，设计了一种高阻抗谐振器来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，达到了通过提高阻抗而降低相位噪声的目的。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2，所述第一MOS管M1的源极接VDD，所述第一MOS管M1的栅极接输入Vin，所述第一MOS管M1的漏极分别与第一电感Lc1和第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第一电容C1和第二电容C2与第二电感Lc2相连，所述第一电感Lc1通过第三电感La1与输出-Vout相连，所述第二电感Lc2通过第四电感La2与输出+Vout相连，所述第二MOS管M2的源极接地，且第二MOS管M2的栅极接输出+Vout，所述第二MOS管M2的漏极接输出-Vout，第三MOS管M3的源极接地，所述第三MOS管M3的栅极接输出-Vout，且第三MOS管M3的漏极接输出+Vout。

优选的，所述第一电容C1和第二电容C2的容值相等，且第一电容C1和第二电容C2均为耦合电容。

优选的，所述第三电感La1和第四电感La2均为阻流电感。

优选的，所述第二电感Lc2和第四电感La2通过第二MOS管M2的源极接地。

优选的，所述第一电感Lc1和第三电感La1通过第三MOS管M3的源极接地。

本实用新型提供了一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器。具备以下有益效果：

(1)、本实用新型由于第三电感La1和第四电感La2的设置，通过在并联节点增设第三电感La1和第四电感La2，使电流流向所受到的阻碍增大，从而提高电路的阻抗值，而且由于第一MOS管M1的源极接VDD，对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，从而有效的降低了相位噪声，使相位噪声的性能更优，而且也不会对信号源有任何影响。