[实用新型]一种低损耗电容器及集成芯片有效
| 申请号： | 201821713056.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208753312U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 贺勇;喻振宁;韩玉成 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王献茹 |
| 地址： | 550000 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低损耗电容器及集成芯片，涉及半导体领域。低损耗电容器，低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上。通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 低损耗电容器 第一表面 金属层 第二金属层 第一金属层 第二表面 集成芯片 电容器 半导体领域 本实用新型 环绕设置 发热 环绕 消耗 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗电容器，其特征在于，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。
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