[实用新型]一种低损耗电容器及集成芯片

说明书

本实用新型提供了一种低损耗电容器及集成芯片，涉及半导体领域。低损耗电容器，低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上。通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体而言，涉及一种低损耗电容器及集成芯片。

背景技术

损耗是无线通信及射频电路设计中的一个重要指标，在功率放大电路中，低损耗意味着较高的功放效率和较好的热量管理；在天线应用中，低电路损耗能够降低天线馈线的能量损耗，同时也可提高辐射单元的效率和天线的信号覆盖范围。随着电子技术的发展，电容器等无源元件的损耗在电路功率损耗中所占比例越来越大，为了降低电容器对电路功率损耗的影响，通常会采用较低损耗的电容器。目前市面上常见的电容器均是以低损耗材料为基础，采用成熟半导体工艺制备。但是电容器的材料确定后，其损耗也基本确定，无法对损耗作出进一步的降低。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种低损耗电容器，其能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。

本实用新型的另一目的在于提供一种集成芯片，其能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种技术方案：

本实用新型实施例提供了一种低损耗电容器，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。

进一步地，所述第三金属层为全封闭环或带缺口环。

进一步地，所述第三金属层采用光刻工艺制成。

进一步地，所述第三金属层在与所述第一表面平行方向的环状宽度为2至15微米。

进一步地，所述第三金属层在沿垂直所述第一表面方向的高度不小于所述绝缘层的高度。

进一步地，所述第三金属层所围面积不大于所述第一表面的面积。

进一步地，所述第二金属层与所述绝缘层的接触处的面积小于该接触处的所述绝缘层的面积。

进一步地，所述基片的所述第一表面和所述第二表面中至少一个表面为抛光面。

进一步地，所述基片的电阻率至少为0.001欧姆·厘米。

本实用新型实施例还提供了一种集成芯片，包括集成芯片本体及低损耗电容器。所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。所述低损耗电容器与所述集成芯片本体电连接。

相对于现有技术，本实用新型提供的低损耗电容器及集成芯片的有益效果是：

本实用新型提供的一种低损耗电容器及集成芯片，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上，通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。

附图说明