[实用新型]一种低损耗电容器及集成芯片有效
| 申请号： | 201821713056.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208753312U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 贺勇;喻振宁;韩玉成 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王献茹 |
| 地址： | 550000 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 低损耗电容器 第一表面 金属层 第二金属层 第一金属层 第二表面 集成芯片 电容器 半导体领域 本实用新型 环绕设置 发热 环绕 消耗 | ||
1.一种低损耗电容器，其特征在于，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。
2.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层为全封闭环或带缺口环。
3.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层采用光刻工艺制成。
4.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层在与所述第一表面平行方向的环状宽度为2至15微米。
5.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层在沿垂直所述第一表面方向的高度不小于所述绝缘层的高度。
6.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层所围面积不大于所述第一表面的面积。
7.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第二金属层与所述绝缘层的接触处的面积小于该接触处的所述绝缘层的面积。
8.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述基片的所述第一表面和所述第二表面中至少一个表面为抛光面。
9.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述基片的电阻率至少为0.001欧姆·厘米。
10.一种集成芯片，其特征在于，包括集成芯片本体及如权利要求1-9任一项所述的低损耗电容器，所述低损耗电容器与所述集成芯片本体电连接。
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