[实用新型]电池硅片承载机构及运输设备有效
| 申请号: | 201821668188.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN209087804U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 唐威 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 王程 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开一种电池硅片承载机构及运输设备,电池硅片承载机构包括底板及多个定位挡销,所述定位挡销阵列布置在所述底板上且与所述底板连接,在底板的第一侧面上形成多个放置位,所述放置位与待承载的硅片匹配,且定位挡销设置在放置位对应于硅片的边角处,用于对所述硅片的倒角限位。该电池硅片承载机构结构简单,加工容易,利用硅片边角的原有倒角和定位挡销配合定位,使硅片间距达最小化,有效的减少了沉积面积,提高了膜层沉积的均匀性和效率,降低薄膜沉积材料的消耗,节省生产成本。而且使用过程中根据硅片来料尺寸公差可通过更改定位挡销大小调整硅片间距至最小极限间隙,提高膜层沉积均匀性和沉积效率。 | ||
| 搜索关键词: | 硅片 定位挡销 承载机构 电池硅片 底板 放置位 膜层沉积 运输设备 均匀性 倒角 本实用新型 薄膜沉积 沉积效率 尺寸公差 大小调整 底板连接 配合定位 阵列布置 最小极限 边角处 最小化 边角 沉积 限位 匹配 生产成本 承载 消耗 侧面 加工 | ||
【主权项】:
1.一种电池硅片承载机构,其特征在于,包括底板及多个定位挡销,所述定位挡销阵列布置在所述底板上且与所述底板连接,在底板的第一侧面上形成多个放置位,所述放置位与待承载的硅片匹配,且定位挡销设置在放置位对应于硅片的边角处,用于对所述硅片的倒角限位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新(北京)科技有限公司,未经君泰创新(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821668188.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





