[实用新型]电池硅片承载机构及运输设备有效
| 申请号: | 201821668188.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN209087804U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 唐威 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 王程 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 定位挡销 承载机构 电池硅片 底板 放置位 膜层沉积 运输设备 均匀性 倒角 本实用新型 薄膜沉积 沉积效率 尺寸公差 大小调整 底板连接 配合定位 阵列布置 最小极限 边角处 最小化 边角 沉积 限位 匹配 生产成本 承载 消耗 侧面 加工 | ||
本实用新型公开一种电池硅片承载机构及运输设备,电池硅片承载机构包括底板及多个定位挡销,所述定位挡销阵列布置在所述底板上且与所述底板连接,在底板的第一侧面上形成多个放置位,所述放置位与待承载的硅片匹配,且定位挡销设置在放置位对应于硅片的边角处,用于对所述硅片的倒角限位。该电池硅片承载机构结构简单,加工容易,利用硅片边角的原有倒角和定位挡销配合定位,使硅片间距达最小化,有效的减少了沉积面积,提高了膜层沉积的均匀性和效率,降低薄膜沉积材料的消耗,节省生产成本。而且使用过程中根据硅片来料尺寸公差可通过更改定位挡销大小调整硅片间距至最小极限间隙,提高膜层沉积均匀性和沉积效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制作技术,特别是涉及一种电池硅片承载机构及运输设备。
背景技术
硅片是晶体硅太阳能电池的主要原材料,生产制造时需要采用气相沉积等工艺在硅片的表面沉积一层或多层固态薄膜。一般在载板上加工数个与硅片同大小的放置槽或使用带槽托盘和底板组成载板,将硅片入槽中,传输进入气相沉积设备中进行薄膜沉积;但是该方式硅片之间间距过大,影响生产效率及沉积膜层均匀性且导致沉积材料浪费增加生产成本。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种电池硅片承载机构及运输设备,能有效减小硅片之间的间距,提高生产效率及降低生产成本。
其技术方案如下:
一种电池硅片承载机构,包括底板及多个定位挡销,所述定位挡销阵列布置在所述底板上且与所述底板连接,在底板的第一侧面上形成多个放置位,所述放置位与待承载的硅片匹配,且定位挡销设置在放置位对应于硅片的边角处,用于对所述硅片的倒角限位。
上述电池硅片承载机构,通过在底板上设有定位挡销形成放置位,且每个放置位的定位挡销置于对应的硅片的边角处,当硅片置于放置位时,硅片的各个倒角被定位挡销限位,位于中部的一个定位挡销可同时对相邻的多块硅片的倒角进行限位,有效间隔硅片,即多块相邻的硅片的倒角围成一个定位挡销的容纳空间,使相邻的硅片的侧边可以尽可能的靠近,大大减小相邻硅片之间的间隙,可使硅片的间隙无限接近于零。该电池硅片承载机构结构简单,加工容易,利用硅片边角的原有倒角和定位挡销配合定位,使硅片间距达最小化,有效的减少了沉积面积,提高了膜层沉积的均匀性和效率,降低薄膜沉积材料的消耗,节省生产成本。而且使用过程中根据硅片来料尺寸公差可通过更改定位挡销大小调整硅片间距至最小极限间隙,提高膜层沉积均匀性和沉积效率。
在其中一实施例中,所述底板上对应每个放置位的区域开设有扩散孔,所述扩散孔包括第一孔与第二孔,所述第一孔的孔径小于所述第二孔的孔径,所述第一孔的一端贯穿至所述底板的第二侧面,所述第一孔的另一端与所述第二孔的一端连通,所述第二孔的另一端贯穿至底板的第一侧面,所述底板的第二侧面与所述底板的第一侧面相对设置。
在其中一实施例中,所述第二孔为锥形孔,且锥形孔的小端与所述第一孔连通。
在其中一实施例中,所述定位挡销包括连接部及导向部,所述连接部的一端与所述底板连接,所述连接部的另一端与所述导向部连接,所述导向部设有朝放置位倾斜的导向面。
在其中一实施例中,所述连接部与所述底板粘接、铆接、螺纹连接或者焊接。
在其中一实施例中,所述电池硅片承载机构还包括多个锁紧螺母,所述底板上对应定位挡销的位置开设有螺纹孔,所述导向部上设有外螺纹,所述导向部穿过所述螺纹孔与所述锁紧螺母连接。
在其中一实施例中,所述底板上对应定位挡销的位置还开设有沉头孔,所述螺纹孔开设在所述沉头孔的底壁上,所述导向部的下端伸入到所述沉头孔内。
在其中一实施例中,所述底板上对应每个放置位的区域开设有方形槽,所述方形槽的四周对应的底板用于承载所述硅片。
在其中一实施例中,所述定位挡销为绝缘材质的挡销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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