[实用新型]晶体管及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于在晶体管的导电区中未设置有栅极介质层，从而使导电层中位于导电区中的部分不构成栅极结构，进而可以改善导电区的衬底中出现漏电流的现象，可有效提高晶体管的性能。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义有沿着第一方向延伸的第一区域和沿着第二方向延伸的第二区域，所述第二区域的端部连接至所述第一区域的侧边，所述第一区域中与所述第二区域连接的部分构成连接区，并由所述连接区将所述第一区域划分为栅极区和导电区；栅极介质层，包括第一栅极介质层和第二栅极介质层，所述第一栅极介质层形成在所述第一区域的所述栅极区中，所述第二栅极介质层形成在所述第二区域中；以及，导电层，包括第一栅极导电部、第二栅极导电部和导电连接部，所述第一栅极导电部形成在所述第一区域的栅极区中，并形成在所述第一栅极介质层上，所述第二栅极导电部形成在所述第二区域中，并覆盖所述第二栅极介质层，所述导电连接部形成在所述第一区域的导电区中，并且所述导电连接部还延伸至所述连接区，以连接所述第一栅极导电部和所述第二栅极导电部。