[实用新型]晶体管及半导体器件

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上定义有沿着第一方向延伸的第一区域和沿着第二方向延伸的第二区域，所述第二区域的端部连接至所述第一区域的侧边，所述第一区域中与所述第二区域连接的部分构成连接区，并由所述连接区将所述第一区域划分为栅极区和导电区；

栅极介质层，包括第一栅极介质层和第二栅极介质层，所述第一栅极介质层形成在所述第一区域的所述栅极区中，所述第二栅极介质层形成在所述第二区域中；以及，

导电层，包括第一栅极导电部、第二栅极导电部和导电连接部，所述第一栅极导电部形成在所述第一区域的栅极区中，并形成在所述第一栅极介质层上，所述第二栅极导电部形成在所述第二区域中，并覆盖所述第二栅极介质层，所述导电连接部形成在所述第一区域的导电区中，并且所述导电连接部还延伸至所述连接区，以连接所述第一栅极导电部和所述第二栅极导电部。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一区域的半导体衬底中形成有沿着所述第一方向延伸的沟槽，所述第一栅极介质层形成在所述栅极区的所述沟槽中，并覆盖所述沟槽的底壁和侧壁；以及，所述第一栅极导电部形成在所述第一栅极介质层上并填充在所述沟槽中。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述导电层的所述导电连接部与所述沟槽之间具有一间隙，以使所述导电连接部悬置在所述沟槽内。

4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述导电连接部与所述沟槽之间的所述间隙在垂直于所述第一方向上的截面形状为U形，并且所述间隙环绕所述导电连接部的底壁和侧壁。

5.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

一遮盖层，形成在所述半导体衬底上并覆盖所述导电层。

6.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述导电层的所述导电连接部与所述沟槽之间具有一间隙，所述遮盖层遮盖所述间隙的开口，以封闭所述间隙。

7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底中形成有一隔离结构，所述隔离结构围绕出一有源区，所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层均从所述有源区延伸出，以及所述第一栅极导电部、第二栅极导电部和所述导电连接部均从所述有源区延伸出。

8.如权利要求1～7任一项所述的晶体管，其特征在于，在所述半导体衬底中形成有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一栅极导电部远离所述第二栅极导电部的衬底中，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区分别位于所述第二栅极导电部的两侧。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1所述的晶体管。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为半导体存储器，所述半导体存储器具有器件区和位于所述器件区外围的周边区，以及所述晶体管形成在所述周边区中。