[实用新型]半导体结构及存储器结构

摘要

本实用新型提供一种半导体结构及存储器结构，包括：半导体基底；垫层结构，位于半导体基底的表面；浅沟槽隔离结构，位于半导体基底及所述垫层结构内；硬掩膜层，位于垫层结构的表面；底部抗反射涂层，位于硬掩膜层的表面；填充层，位于底部抗反射涂层内，填充层定义出需要形成的位线接触的位置及形状；侧墙结构，位于底部抗反射涂层内，且位于填充层的外侧，侧墙结构定义出需要形成的埋入式栅极字线的位置及形状；于相同的刻蚀条件下，填充层的去除速率小于底部抗反射层的去除速率及侧墙结构的去除速率。本实用新型不需要光刻工艺来定义位线接触孔，可以避免光刻曝光偏移，确保位线接触的精确对准。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基底；垫层结构，位于所述半导体基底的表面；浅沟槽隔离结构，位于所述半导体基底及所述垫层结构内，以于所述半导体基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；硬掩膜层，位于所述垫层结构的表面；底部抗反射涂层，位于所述硬掩膜层的表面；填充层，位于所述底部抗反射涂层内，所述填充层定义出需要形成的位线接触的位置及形状；及侧墙结构，位于所述底部抗反射涂层内，且位于所述填充层的外侧，所述侧墙结构定义出需要形成的埋入式栅极字线的位置及形状；其中，于相同的刻蚀条件下，所述填充层的去除速率小于所述底部抗反射层的去除速率及所述侧墙结构的去除速率。