[实用新型]半导体结构及存储器结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

垫层结构，位于所述半导体基底的表面；

浅沟槽隔离结构，位于所述半导体基底及所述垫层结构内，以于所述半导体基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

硬掩膜层，位于所述垫层结构的表面；

底部抗反射涂层，位于所述硬掩膜层的表面；

填充层，位于所述底部抗反射涂层内，所述填充层定义出需要形成的位线接触的位置及形状；及

侧墙结构，位于所述底部抗反射涂层内，且位于所述填充层的外侧，所述侧墙结构定义出需要形成的埋入式栅极字线的位置及形状；其中，

于相同的刻蚀条件下，所述填充层的去除速率小于所述底部抗反射层的去除速率及所述侧墙结构的去除速率。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区内还形成有深阱区域。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述垫层结构包括：

垫氧化层，位于所述半导体基底的表面；

垫氮化层，位于所述垫氧化层的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层包括：

第一硬掩膜层，位于所述垫层结构的表面；及

第二硬掩膜层，位于所述第一硬掩膜层的表面。

5.一种存储器结构，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述半导体基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个间隔排布的埋入式栅极字线，位于所述有源区内，且所述埋入式栅极字线的上表面低于所述半导体基底的上表面；

位线接触，位于所述半导体基底上；及

介质层，位于所述埋入式栅极字线的表面，且填满所述位线接触之间的间隙。

6.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述有源区内还形成有深阱区域。

7.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述存储器结构还包括垫层结构，所述垫层结构位于所述埋入式栅极字线及所述位线接触之间的所述半导体基底的表面。

8.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述垫层结构包括：

垫氧化层，位于所述半导体基底的表面；及

垫氮化层，位于所述垫氧化层的表面。

9.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述位线接触的底部陷入于所述半导体基底内。

10.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述埋入式栅极字线包括：

栅极导电层，位于所述有源区内，所述栅极导电层的上表面低于所述半导体基底的上表面；及

栅极氧化层，位于所述有源区内，且位于所述栅极导电层与所述半导体基底之间。