[实用新型]晶体管和半导体存储器有效
| 申请号： | 201821545397.2 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN209045568U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵亮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体管和半导体存储器，所述晶体管具有沿第二方向延伸的鳍片，第一掺杂区形成在所述鳍片的竖直鳍片部的顶端中，第二掺杂区形成在所述鳍片的水平直鳍片部中，第一栅极设置在所述水平直鳍片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一掺杂区与第二掺杂区之间形成垂直L型沟道，可以增加有效沟道长度，克服短沟道效应，有利于实现更小的特征尺寸；本实用新型的晶体管还具有第二栅极，能接入衬底电压，优化晶体管电性，该第二栅极还能作为备用栅极来替换损坏的所述第一栅极，提高使用寿命；本实用新型的晶体管的埋入式导线使晶体管外围的隔离更加容易形成。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 掺杂区 本实用新型 鳍片 半导体存储器 方向延伸 片部 直鳍 有效沟道长度 短沟道效应 衬底电压 使用寿命 竖直鳍片 埋入式 电性 备用 替换 垂直 外围 隔离 优化 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍片，所述鳍片包括沿水平鳍片部以及设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述水平鳍片部中形成有第二掺杂区，所述竖直鳍片部中形成有第一掺杂区；第一栅极，设置在所述水平鳍片部上并沿第一方向延伸；第二栅极，设置在所述竖直鳍片部远离所述第一栅极一侧，并沿第一方向延伸，所述第二栅极与所述第一栅极并排设置并通过所述竖直鳍片部间隔开。
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