[实用新型]晶体管和半导体存储器

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍片，所述鳍片包括沿水平鳍片部以及设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述水平鳍片部中形成有第二掺杂区，所述竖直鳍片部中形成有第一掺杂区；

第一栅极，设置在所述水平鳍片部上并沿第一方向延伸；

第二栅极，设置在所述竖直鳍片部远离所述第一栅极一侧，并沿第一方向延伸，所述第二栅极与所述第一栅极并排设置并通过所述竖直鳍片部间隔开。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底还具有沿所述第一方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽位于所述竖直鳍片部背向所述水平鳍片部的一侧，并且所述第一沟槽的底部延伸至所述水平鳍片部连接所述竖直鳍片部的一端的侧壁，并使所述竖直鳍片部背向所述水平鳍片部的侧壁以及所述水平鳍片部连接所述竖直鳍片部的一端的侧壁暴露在所述第一沟槽中；所述第二栅极埋设于所述第一沟槽中。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底还具有第二沟槽，所述第二沟槽沿第二方向延伸并暴露出所述鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述第一沟槽沿着第一方向的端部延伸至所述第二沟槽，以使所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第二沟槽的侧壁上连通，所述第二沟槽中埋设有沿着第二方向延伸的埋入式导线，所述埋入式导线和第二掺杂区电连接，所述第一栅极和所述第二栅极沿第一方向延伸至所述第二沟槽中并跨设在所述埋入式导线上方。

4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，还包括导电接触结构，形成在所述第二沟槽中，并设置在所述埋入式导线和所述第二掺杂区之间，所述导电接触结构的一侧壁与所述第二掺杂区的侧壁表面接触，所述导电接触结构的另一侧壁与所述埋入式导线的侧壁表面接触，所述导电接触结构的底表面与所述第二沟槽底部的半导体衬底表面隔离。

5.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，还包括第一介质层，所述第一介质层填充于所述第一沟槽和所述第二沟槽中并覆盖在所述竖直鳍片部远离所述第一栅极一侧的半导体衬底上，所述埋入式导线位于所述第二沟槽中的所述第一介质层上，所述第二栅极位于所述第一沟槽中的所述第一介质层上。

6.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，还包括第二介质层，所述第二介质层填充在所述第二沟槽中并将所述埋入式导线掩埋在内。

7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，还包括栅介质层和栅极隔离层，所述栅介质层形成在所述第一栅极与所述鳍片之间以及所述第二栅极与所述鳍片的竖直鳍片部之间，所述栅极隔离层覆盖在所述第一栅极和所述第二栅极上并填满所述第一沟槽和所述第二沟槽以及所述水平鳍片部上方的空间，以将所述第一栅极和所述第二栅极掩埋在内。

8.一种半导体存储器，其特征在于，包括：多个如权利要求1至7中任一项所述的晶体管，所有的所述晶体管形成在同一半导体衬底上并沿第一方向和第二方向按单元行、单元列排列成阵列；每个所述单元行上的所有所述晶体管的第一栅极连为一体而作为所述半导体存储器的一条字线；每个所述单元行上的所有所述晶体管的第一沟槽一体成型，使得所述单元行上的所有所述晶体管的第二栅极连为一体而作为所述半导体存储器的一条备用字线；每个所述单元列上的所有所述晶体管的埋入式导线连为一体而作为所述半导体存储器的一条位线。

9.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体衬底中还具有沿着所述第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述单元列上的所有所述晶体管的鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述位线形成在所述第二沟槽中，所述第一沟槽沿着第一方向延伸并穿过所述第二沟槽，且所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第二沟槽的侧壁上连通，使得所述第一栅极形成的字线和所述第二栅极形成的备用字线跨设在所述位线上方。