[实用新型]电源管理芯片有效
| 申请号： | 201821236029.X | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN208589441U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 郑玉宁;方绍明 | 申请（专利权）人： | 深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电源管理芯片。所述电源管理芯片包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。所述电源管理芯片可以采用低压工艺制作，降低成本，缩短设计周期，保证工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 深N阱 电源管理芯片 漏极重掺杂区 衬底 半导体 源极重掺杂区 低压工艺 重掺杂区 上表面齐平 低压逻辑 控制电路 设计周期 区包围 上表面 底面 良率 制作 侧面 保证 | ||
【主权项】：
1.一种电源管理芯片，其特征在于，包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
