[实用新型]电源管理芯片

说明书

一种电源管理芯片。所述电源管理芯片包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。所述电源管理芯片可以采用低压工艺制作，降低成本，缩短设计周期，保证工艺良率。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种电源管理芯片。

背景技术

电源管理芯片通常包含AC-DC或DC-DC，其中，尤其以高压转低压尤为常见，例如电源适配器，手机充电器，汽车大灯照明等应用。市电或者高压电源输入，通过电源管理芯片将高压转换为低压，作为后级的应用供电。

现有电源管理芯片常见的是由两个芯片构成，一个芯片是由高压器件(如MOS或JFET)构成，一个芯片是低压逻辑控制模块芯片。芯片中的高压器件承载着输入保护，避免市电或者高压输入时，因为电压太高导致烧毁逻辑控制芯片的作用。

逻辑控制模块芯片通常采用低电压供电的工艺制作，这样可以降低功耗，并提高反应速度，而且低电压供电器件尺寸小可以缩小整体芯片面积。

虽然，电源管理芯片也有由单芯片构成的结构，例如采用超高压BCD工艺制作而成(从而实现单芯片集成高压器件跟低压逻辑模块)，但是，这样的芯片结构导致相应的工艺特殊，成本高，而且工艺复杂，所有器件参数均为定制，需要单独重新设计才能使用，周期长。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种电源管理芯片，以更好地实现语音的传送和交互过程。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种电源管理芯片，包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。

可选的，所述高压JFET的俯视形状为跑道形，所述漏极重掺杂区位于所述跑道形内部，在俯视平面上所述漏极重掺杂区呈跑道环形，所述漏极重掺杂区的两个直边之间的平面距离在69μm以上；在俯视平面上，所述漏极重掺杂区包围的所述深N阱区上方具有焊垫。

可选的，所述深N阱区的深度范围为6μm±10％；所述内部P阱区的深度范围为2μm±10％；所述深N阱区的杂质注入剂量为4.5E12atom/cm²±10％；所述内部P阱区的杂质注入剂量为8.0E12atom/cm²±10％。

可选的，所述半导体衬底上还具有位于所述深N阱区外的外部P阱区，所述外部P阱区具有P型重掺杂区，所述P型重掺杂区到所述深N阱区之间的剖面距离为3μm±10％；所述源极重掺杂区到所述深N阱区外边缘的剖面距离为3μm±10％；所述源极重掺杂区的剖面宽度为4μm±10％；所述源极重掺杂区到所述栅极重掺杂区的剖面距离为3μm±10％；所述栅极重掺杂区到所述内部P阱区两侧的剖面距离为3μm±10％。