[实用新型]构成为微线路的喷盘装置有效
申请号: | 201821068708.0 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN209216926U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 金钟学;汤泽民;王长兴 | 申请(专利权)人: | 东莞太星机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 刘健;黄韧敏 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型适用于微线路制备技术领域,提供了一种构成为微线路的喷盘装置,包括有为形成微线路向所有基板喷射蚀刻液并通过真空吸入去除积在所述基板上的所述蚀刻液的第一蚀刻结构、向所述基板喷射包括蚀刻液和气体混合的用二流体进行蚀刻的第二蚀刻结构、只在基板的边缘喷射蚀刻液做部分蚀刻的第三蚀刻结构,根据所述基板移送情况向所述基板间歇性喷射蚀刻液的第四蚀刻结构以及消除废气的废气去除模块。借此,本实用新型能够有效的去除基板上的蚀刻液使蚀刻的多个面形成比较均匀的蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 蚀刻液 基板 微线路 喷射 本实用新型 喷盘 去除 制备技术领域 废气去除 基板移送 气体混合 间歇性 流体 吸入 废气 | ||
【主权项】:
1.一种构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,包括有:第一蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第一加工位的基板喷射蚀刻液的第一喷嘴架以及至少一用于排出所述基板上的所述蚀刻液的真空吸入模块;第二蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第二加工位的所述基板混合喷射所述蚀刻液和气体的二流体的第二喷嘴架;第三蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第三加工位的所述基板的边缘部分喷射所述蚀刻液的第三喷嘴架;第四蚀刻结构,设有至少一用于根据所述基板的检测信息向传输至第四加工位的所述基板间歇喷射所述蚀刻液的第四喷嘴架;废气去除模块,用于吸入所述基板上产生的废气并冷却凝缩所述废气以形成回收药液和纯气体;所述废气去除模块包括有用于捕获高压喷射所述蚀刻液时所产生的废气的排气槽、减震器以及电容器;所述减震器和所述电容器连接至外部的洗涤器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造