[实用新型]构成为微线路的喷盘装置

说明书

本实用新型适用于微线路制备技术领域，提供了一种构成为微线路的喷盘装置，包括有为形成微线路向所有基板喷射蚀刻液并通过真空吸入去除积在所述基板上的所述蚀刻液的第一蚀刻结构、向所述基板喷射包括蚀刻液和气体混合的用二流体进行蚀刻的第二蚀刻结构、只在基板的边缘喷射蚀刻液做部分蚀刻的第三蚀刻结构，根据所述基板移送情况向所述基板间歇性喷射蚀刻液的第四蚀刻结构以及消除废气的废气去除模块。借此，本实用新型能够有效的去除基板上的蚀刻液使蚀刻的多个面形成比较均匀的蚀刻。

技术领域

本实用新型涉及微线路制备技术领域，尤其涉及一种构成为微线路的喷盘装置。

背景技术

一般蚀刻是把需要处理的素材，例如在印刷线路基板表面做必要的相关处理后剩余部分通过喷嘴喷射化学药水(蚀刻液，stchant)形成所需要的结果；线路现象加工法广泛应用在半导体制造工程里。

根据这样的蚀刻加工法制造的产品品质是与蚀刻液及蚀刻装置有关的。具体来讲蚀刻液的种类，温度，浓度等及蚀刻装置里喷嘴现象，个数，大小，间距，配置，素材移送速度等多种条件作为蚀刻品质的变速。简单整理的话蚀刻的品质关键是蚀刻液以什么样的形态喷射在素材上。即通过喷嘴喷射的蚀刻液与素材直接接触的(喷射蚀刻)和非直接接触通过残存的蚀刻液浸渍(dipping)在品质上会有很大的差别。

一方面如上所述在蚀刻工程会发生水池效应,在这里水池效应因在素材表面喷射的蚀刻液过度积累的现象引起不均匀蚀刻等导致与所期望不同的蚀刻，使产品品质低下，这样的水池效应是在一般蚀刻装置里根据喷嘴的数量，间隔或是排列等不仅有差异，而且会是必然发生的,需要研究可以有效去除的方案。

相关公司在持续开发去除水池效应的方法，有如下几个技术被公开化：

首先，如图1所示，安装在基板11上部的喷射喷嘴12和上述喷射喷嘴12邻近的喷射喷嘴(图纸未图示)之间构成安装吸入装置13，把喷射的蚀刻液排出至上述基板11的外侧。残存蚀刻液使用上述吸入装置13来去除的蚀刻装置10(以下称作现有技术1)也被公布；并且如图2所示以垂直竖立基板21移送的移送滚轮22和安装在上述基板21前面和后面做摇摆动作的喷嘴23及喷管24构成，均匀喷射蚀刻液的同时把喷射的蚀刻液向下排出的蚀刻装置20(以下称作现有技术2)也被公布。

但是现有技术1的情况因上述喷射喷嘴12的喷淋颗粒不够稠密，会阻碍微线路50um以下的线路和线路之间蚀刻部分的蚀刻液喷射途径，从现实来讲很难发挥其作用。而现有技术2的情况，因上述基板21在竖立的状态下喷射蚀刻液，蚀刻液会随着上述基板21流到下端，会引起上述基板21上端和下端之间的线路形成不均匀的问题。

综上可知，现有的方法在实际使用上，显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

实用新型内容

针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供了一种构成为微线路的喷盘装置，能够有效的去除基板上的蚀刻液使蚀刻的多个面形成比较均匀的蚀刻。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种构成为微线路的喷盘装置，包括有：

第一蚀刻结构，设有至少一用于向传输至第一加工位的基板喷射蚀刻液的第一喷嘴架以及至少一用于排出所述基板上的所述蚀刻液的真空吸入模块；

第二蚀刻结构，设有至少一用于向传输至第二加工位的所述基板混合喷射所述蚀刻液和气体的二流体的第二喷嘴架；

第三蚀刻结构，设有至少一用于向传输至第三加工位的所述基板的边缘部分喷射所述蚀刻液的第三喷嘴架；

第四蚀刻结构，设有至少一用于根据所述基板的检测信息向传输至第四加工位的所述基板间歇喷射所述蚀刻液的第四喷嘴架；

废气去除模块，用于吸入所述基板上产生的废气并冷却凝缩所述废气以形成回收药液和纯气体。