[实用新型]构成为微线路的喷盘装置有效
申请号: | 201821068708.0 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN209216926U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 金钟学;汤泽民;王长兴 | 申请(专利权)人: | 东莞太星机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 刘健;黄韧敏 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 蚀刻液 基板 微线路 喷射 本实用新型 喷盘 去除 制备技术领域 废气去除 基板移送 气体混合 间歇性 流体 吸入 废气 | ||
1.一种构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,包括有:
第一蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第一加工位的基板喷射蚀刻液的第一喷嘴架以及至少一用于排出所述基板上的所述蚀刻液的真空吸入模块;
第二蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第二加工位的所述基板混合喷射所述蚀刻液和气体的二流体的第二喷嘴架;
第三蚀刻结构,设有至少一用于向传输至第三加工位的所述基板的边缘部分喷射所述蚀刻液的第三喷嘴架;
第四蚀刻结构,设有至少一用于根据所述基板的检测信息向传输至第四加工位的所述基板间歇喷射所述蚀刻液的第四喷嘴架;
废气去除模块,用于吸入所述基板上产生的废气并冷却凝缩所述废气以形成回收药液和纯气体;
所述废气去除模块包括有用于捕获高压喷射所述蚀刻液时所产生的废气的排气槽、减震器以及电容器;所述减震器和所述电容器连接至外部的洗涤器。
2.根据权利要求1所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第一蚀刻结构包括有两个所述第一喷嘴架,两个所述第一喷嘴架分别设于所述第一加工位的所述基板的上下端,且两个所述第一喷嘴架上设有分别正对于所述基板上下两面的至少一第一喷嘴;
所述真空吸入模块设有靠近于所述基板上端的真空吸入喷嘴,所述真空吸入喷嘴连接至文丘里管,所述文丘里管连接循环泵涌。
3.根据权利要求2所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第一蚀刻结构还包括有第一供给泵涌和第一蚀刻液槽,所述第一供给泵涌连接至所述第一喷嘴架,所述第一蚀刻液槽连接至所述第一供给泵涌且所述第一蚀刻液槽设于两个所述第一喷嘴架之下以回收所述蚀刻液。
4.根据权利要求1所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第二蚀刻结构包括有两个所述第二喷嘴架、第二供给泵涌、气体供给泵涌以及第二蚀刻液槽,两个所述第二喷嘴架分别设于所述第二加工位的所述基板的上下端,且两个所述第二喷嘴架上设有分别正对于所述基板上下两面的至少一第二喷嘴;
所述第二供给泵涌和所述气体供给泵涌都连接至所述第二喷嘴架上,且所述第二蚀刻液槽连接至所述第二供给泵涌且所述第二蚀刻液槽设于两个所述第二喷嘴架之下以回收所述蚀刻液。
5.根据权利要求4所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述气体供给泵涌连接有至少一气体加热模块;和/或
所述第二蚀刻液槽与所述第二供给泵涌之间还连接有至少一蚀刻液加热模块。
6.根据权利要求1所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第三蚀刻结构包括有两个所述第三喷嘴架,两个所述第三喷嘴架分别设于所述第三加工位的所述基板的上下端,且两个所述第三喷嘴架分别在对应于所述基板上下两面的边缘部分设有若干个第三喷嘴。
7.根据权利要求1所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第四蚀刻结构包括有两个所述第四喷嘴架,两个所述第四喷嘴架分别设于所述第四加工位的所述基板的上下端,且两个所述第四喷嘴架上分别设有对应于所述基板上下两面的至少一第四喷嘴。
8.根据权利要求7所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第四蚀刻结构还包括有第三供给泵涌、第三蚀刻液槽、传感器以及控制单元;所述第三供给泵涌连接至所述第四喷嘴架,所述第三蚀刻液槽连接至所述第三供给泵涌且所述第三蚀刻液槽设于两个所述第四喷嘴架之下以回收所述蚀刻液;
所述传感器设于所述第四加工位之前且所述控制单元与所述传感器连接,所述控制单元与所述第三供给泵涌连接,所述控制单元根据所述传感器检测到所述基板的所述检测信息,以控制所述第三供给泵涌间歇供给所述蚀刻液以对所述基板进行喷射。
9.根据权利要求1所述的构成为微线路的喷盘装置,其特征在于,所述第一喷嘴架和/或所述第二喷嘴架与一左右往返驱动机构连接,所述左右往返驱动机构包括有驱动马达、旋转盘、偏心轴以及连动杆,所述驱动马达与所述旋转盘的下端连接以驱动所述旋转盘进行旋转,所述偏心轴偏心安装在所述旋转盘的上端且所述连动杆的一端与所述偏心轴固定连接,所述连动杆的另一端连接至所述第一喷嘴架和/或所述第二喷嘴架上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造