[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821025862.X | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN208336235U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;阿里·萨利赫;沃恩-埃德蒙兹·卢埃林 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本专利申请中涉及一种半导体器件，包括：沟道层、设置在沟道层上的载流子产生层、以及设置在载流子产生层上的源极接触。半导体器件可包括设置在载流子产生层上的漏极接触、设置在源极接触和漏极接触之间的栅极接触、以及与漏极接触电耦合的多个导电条部分。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子产生层 半导体器件 漏极接触 源极接触 沟道层 栅极接触 导电条 电耦合 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：沟道层；设置在所述沟道层上的载流子产生层；设置在所述载流子产生层上的源极接触；设置在所述载流子产生层上的漏极接触；设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及与所述漏极接触电耦合的多个导电条部分。
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