[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821025862.X | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN208336235U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;阿里·萨利赫;沃恩-埃德蒙兹·卢埃林 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子产生层 半导体器件 漏极接触 源极接触 沟道层 栅极接触 导电条 电耦合 申请 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
沟道层；
设置在所述沟道层上的载流子产生层；
设置在所述载流子产生层上的源极接触；
设置在所述载流子产生层上的漏极接触；
设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；以及
与所述漏极接触电耦合的多个导电条部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：
分隔件，设置在所述栅极接触和所述载流子产生层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：
分隔件，设置在所述栅极接触和所述载流子产生层之间，并具有与所述多个导电条部分的厚度相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：
分隔件，设置在所述栅极接触和所述载流子产生层之间，所述分隔件和所述多个导电条部分由相同的材料制成且在相同的制造工艺期间制成。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导电条部分为由pGaN材料制成的导电条部分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，来自所述多个导电条部分的一导电条部分与所述漏极接触分开并通过金属层直接电连接。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
沟道层；
设置在所述沟道层上的载流子产生层；
设置在所述载流子产生层上的源极接触；
设置在所述载流子产生层上的漏极接触；
设置在所述源极接触和所述漏极接触之间的栅极接触；
与所述漏极接触电耦合的导电条部分；以及
设置在所述导电条部分和所述栅极接触之间的横向导电部分，所述横向导电部分与所述导电条部分不平行地对齐。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括：耦合到所述横向导电部分的场板。
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