[实用新型]半导体器件

说明书

在本专利申请中涉及一种半导体器件，包括：沟道层、设置在沟道层上的载流子产生层、以及设置在载流子产生层上的源极接触。半导体器件可包括设置在载流子产生层上的漏极接触、设置在源极接触和漏极接触之间的栅极接触、以及与漏极接触电耦合的多个导电条部分。

本申请是申请日为2017年11月17日、申请号为201721551096.6、发明创造名称为“半导体器件”的实用新型专利申请的分案申请。

相关申请

本申请要求于2016年11月17日递交的美国临时专利申请No.62/423,547的优先权和权益，其全部内容以引用的方式合并到本申请中。

技术领域

本申请总体上涉及半导体器件。更具体地说，本申请描述了包括具有减小的动态阻抗的高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体器件。

背景技术

包含集成电路(IC)或分立器件的半导体器件用于各种各样的电子设备。IC器件(或芯片或分立器件)可包括在半导体材料的衬底的表面中制造的小型化的电子电路。电路由许多重叠的层构成，这些重叠的层包括包含可以扩散到衬底中的掺杂剂的层(称为扩散层)或包含植入衬底中的离子的层(植入层)。其它层是导体层(多晶硅或金属层)或导电层之间的连接层(通孔或接触层)。IC器件或分立器件可以以逐层工艺制造，该逐层工艺使用包括映像、沉积、蚀刻、掺杂和清洁的许多步骤的组合。硅晶圆通常用作衬底，光刻用于标记衬底的待掺杂或沉积的不同区域并限定多晶硅层、绝缘层或金属层。

一种类型的半导体器件，即高电子迁移率晶体管(HEMT)，是一种场效应晶体管，其包含具有不同带隙的两种材料之间的结(即，异质结)作为沟道，而非作为掺杂区(通常是针对MOSFET器件的情况)。HEMT可用于集成电路作为数字通断开关。HEMT晶体管可以以比普通晶体管高的频率操作并可用于包括例如移动电话的许多高频产品。

实用新型内容

在另一个总的方面，一种半导体器件可包括沟道层、设置在沟道层上的载流子产生层、以及设置在载流子产生层上的源极接触。半导体器件可包括设置在载流子产生层上的漏极接触、设置在源极接触和漏极接触之间的栅极接触、以及与漏极接触电耦合的多个导电条部分。

在一些实现中，半导体器件可包括设置在栅极接触和载流子产生层之间的分隔件。在一些实现中，半导体器件可包括设置在栅极接触和载流子产生层之间的分隔件，该分隔件可具有与多个导电条部分的厚度相同的厚度。在一些实现中，半导体器件可包括设置在栅极接触和载流子产生层之间的分隔件。分隔件和多个导电条部分可由相同的材料制成且在相同的制造工艺期间制成。

在一些实现中，多个导电条部分可由pGaN材料制成。在一些实现中，来自多个导电条部分的导电条部分与漏极接触分开并通过金属层直接电连接。

在另一个总的方面，一种半导体器件可包括沟道层、设置在沟道层上的载流子产生层、以及设置在载流子产生层上的源极接触。半导体器件可包括设置在载流子产生层上的漏极接触、设置在源极接触和漏极接触之间的栅极接触、以及与漏极接触电耦合的导电条部分。半导体器件可包括设置在导电条部分和栅极接触之间的横向导电部分。横向导电部分可以与导电条部分不平行地对齐。在一些实现中，半导体器件可包括耦合到横向导电部分的场板。

附图说明

图1是示出高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的示例实现的图。

图2示出了图1中所示的HEMT器件的变型。

图3A是示出图1中所示的HEMT器件的俯视图的图。

图3B是示出图1和图3A中所示的HEMT器件的变型的图。

图4是示出图1中所示的HEMT器件的另一变型的图。