[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821012891.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN208548342U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有由沟槽围绕的第一区域和第二区域；和对所述沟槽进行填充的绝缘材料；其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第一区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之上的水平；和其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第二区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之下的水平。由此提供性能改进的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 填充 绝缘材料 第二区域 第一区域 位置处 衬底 半导体 性能改进 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有由沟槽围绕的第一区域和第二区域；和对所述沟槽进行填充的绝缘材料；其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第一区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之上的水平；和其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第二区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之下的水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
