[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821012891.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN208548342U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 填充 绝缘材料 第二区域 第一区域 位置处 衬底 半导体 性能改进 申请 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有由沟槽围绕的第一区域和第二区域；和
对所述沟槽进行填充的绝缘材料；
其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第一区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之上的水平；和
其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第二区域的边缘相邻的位置处被填充到所述边缘之下的水平。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
覆盖在所述第一区域上方的第一栅极电介质层；
覆盖在所述第二区域上方的第二栅极电介质层；
第一栅极区域，所述第一栅极区域覆盖在所述第一区域上方并通过所述第一栅极电介质而与所述第一区域绝缘，所述第一栅极区域通过所述绝缘材料而与所述第一区域的边缘隔开；和
第二栅极区域，所述第二栅极区域覆盖在所述第二区域上方并且与所述第二区域绝缘，所述第二栅极区域包括低于所述第二区域的上表面的水平而延伸的部分。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一区域是p掺杂区域并且所述第一栅极区域是n沟道晶体管的栅极，并且其中所述第二区域是n掺杂区域并且所述第二栅极区域是p沟道晶体管的栅极。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体衬底是SOI结构的上半导体层。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和通过沟槽与所述第一区域隔开的第二区域；
在所述沟槽内的绝缘材料；
其中所述第二区域周围的所述绝缘材料的表面具有凹坑形式的形状；和
其中所述第一区域周围的所述绝缘材料的表面具有与所述第二区域周围的所述形状不同的形状。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第二区域周围的所述绝缘材料的表面低于所述第二区域的上表面；和
其中所述第一区域周围的所述绝缘材料的表面高于所述第二区域的上表面。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一区域周围的所述绝缘材料不覆盖在所述第一区域上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司，未经意法半导体(鲁塞)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
