[实用新型]转置装置有效
| 申请号： | 201821002199.1 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN208722854U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李宗桦;刘文芳;李少谦;王佰伟 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;B65G47/91;B32B3/24;B32B3/08;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/06;B32B15/088;B32B15/09;B32B15/14 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种转置装置包含主体以及缓冲层。主体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，且具有多个第一通道贯穿主体。缓冲层设置于主体的第一表面上，且缓冲层具有多个第二通道贯穿缓冲层并对准上述第一通道。此转置装置可大幅提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 第一表面 转置装置 产品良率 第二表面 贯穿 对准 | ||
【主权项】：
1.一种转置装置，其特征在于，包含：主体，具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，且具有多个第一通道贯穿该主体；以及缓冲层，设置于该主体的该第一表面上，且该缓冲层具有多个第二通道贯穿该缓冲层并对准该些第一通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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