[实用新型]一种倒装LED芯片有效
申请号: | 201820940983.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN208400865U | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 王兵 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种倒装LED芯片,包括:衬底、设于衬底上的外延层、裸露区域、设于第二半导体层上的透明导电层、切割道、绝缘层、反射层、第一电极和第二电极,其中,所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面。本实用新型的切割道直接延伸至衬底表面,在芯片边缘不再存在台阶刻蚀线宽和透明导电层线宽,使倒装LED芯片的发光面积达到最大,增加了第二半导体层与透明导电层的接触面积,从而增加电流传导面积,进而提升了倒装LED芯片的亮度并降低了的电压。 | ||
搜索关键词: | 倒装LED芯片 透明导电层 切割道 衬底 本实用新型 半导体层 外延层 绝缘层 衬底表面 第二电极 第一电极 电流传导 裸露区域 芯片边缘 反射层 刻蚀线 延伸 线宽 发光 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,包括:衬底;设于衬底上的外延层,所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层;裸露区域,所述裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层;设于第二半导体层上的透明导电层;切割道,所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面;设于透明导电层上和切割道上的绝缘层;设于绝缘层上的反射层;第一电极和第二电极,所述第一电极位于裸露区域,并设于第一半导体层上,所述第二电极贯穿绝缘层和反射层并设于透明导电层上。
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