[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201820940983.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208400865U | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装LED芯片 透明导电层 切割道 衬底 本实用新型 半导体层 外延层 绝缘层 衬底表面 第二电极 第一电极 电流传导 裸露区域 芯片边缘 反射层 刻蚀线 延伸 线宽 发光 贯穿 | ||
【权利要求书】：
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
裸露区域，所述裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；
设于第二半导体层上的透明导电层；
切割道，所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面；
设于透明导电层上和切割道上的绝缘层；
设于绝缘层上的反射层；
第一电极和第二电极，所述第一电极位于裸露区域，并设于第一半导体层上，所述第二电极贯穿绝缘层和反射层并设于透明导电层上。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述切割道位于倒装LED芯片的边缘。
3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述切割道的宽度不大于30微米。
4.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘设于第一电极上，第二焊盘设于第二电极上。
5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层由绝缘材料制成。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层由反射金属制成。
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