[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括：衬底、设于衬底上的外延层、裸露区域、设于第二半导体层上的透明导电层、切割道、绝缘层、反射层、第一电极和第二电极，其中，所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面。本实用新型的切割道直接延伸至衬底表面，在芯片边缘不再存在台阶刻蚀线宽和透明导电层线宽，使倒装LED芯片的发光面积达到最大，增加了第二半导体层与透明导电层的接触面积，从而增加电流传导面积，进而提升了倒装LED芯片的亮度并降低了的电压。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，倒装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有的倒装LED芯片一般包衬底、N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层、透明导电层和电极，在制作倒装LED芯片时，需要对LED晶园进行切割，从而形成单颗倒装LED芯片。具体的，LED晶园在切割前，需要对透明导电层、P型氮化镓层和有源层进行刻蚀，形成切割道，这样才能沿着切割道对LED晶园进行切割。如图1所示，现有的切割道包括第一切割道41和第二切割道42，第一切割道41贯穿透明导电层24并延伸至P型氮化镓层23的表面，第二切割道42贯穿透明导电层24、P型氮化镓层23和有源层23并延伸至N型氮化镓层21的表面。现有的倒装LED芯片通过第一切割道将透明导电层和P型氮化镓层的边缘留有空隙，通过第二切割道将有源层和N型氮化镓层的边缘留有空隙，从而防止芯片发生漏电。由于LED晶圆在切割成单颗倒装LED芯片时，容易将上一层结构的边缘粘连到下一层结构的边缘，因此导致芯片漏电。

但是，现有的切割道需要对LED晶圆进行两次刻蚀，工艺复杂；此外，会减少芯片和透明导电层的面积，影响倒装LED芯片的电流分布和减少发光面积。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底，增加有源层的面积，增加第二半导体层与透明导电层的接触面积，从而增加电流传导面积，进而提升了倒装LED芯片的亮度并降低了的电压。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

裸露区域，所述裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；

设于第二半导体层上的透明导电层；

切割道，所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面；

设于透明导电层上和切割道上的绝缘层；

设于绝缘层上的反射层；

第一电极和第二电极，所述第一电极位于裸露区域，并设于第一半导体层上，所述第二电极贯穿绝缘层和反射层并设于透明导电层上。

作为上述方案的改进，所述切割道位于倒装LED芯片的边缘。

作为上述方案的改进，所述切割道的宽度不大于30微米。

作为上述方案的改进，还包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘设于第一电极上，第二焊盘设于第二电极上。

作为上述方案的改进，所述绝缘层由绝缘材料制成。

作为上述方案的改进，所述反射层由反射金属制成。

实施本实用新型，具有如下有益效果：