[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820784219.9 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208173563U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 榎本忠;中村诚;铃木淳也;李光旺 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种基板处理装置。以往,在利用气化器的处理工艺中,设置气体探测仪来监测是否发生了气体的泄露,该技术存在改进的余地。本实用新型的基板处理装置具备:处理室,其收纳基板,在该处理室中对基板进行处理;气化部,在气化部将处理液气化来生成处理气体;处理气体供给管路,其与气化部和处理室连通,将处理气体从气化部供给到处理室内;开闭阀,其设置在处理气体供给管路,将处理气体供给管路打开和关闭;以及压力传感器,其设置在处理气体供给管路的、比设置开闭阀的位置靠近气化部的位置处。通过本实用新型,提供一种在利用了气化器的处理工艺中能够更加精确地监测是否发生了气体泄露并兼顾监测多种异常的基板处理装置。 | ||
搜索关键词: | 处理气体供给 基板处理装置 气化部 本实用新型 处理工艺 开闭阀 气化器 气化 监测 压力传感器 处理气体 气体泄露 生成处理 位置靠近 收纳 处理液 对基板 探测仪 位置处 基板 连通 泄露 室内 改进 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:处理室,其收纳基板,在所述处理室内对所述基板进行处理;气化部,在该气化部中将处理液气化来生成对基板进行处理所需的处理气体;处理气体供给管路,其与所述气化部和所述处理室连通,用于将所述处理气体从所述气化部供给到所述处理室内;开闭阀,其设置在所述处理气体供给管路,用于将所述处理气体供给管路打开和关闭;以及压力传感器,其设置在所述处理气体供给管路的、比设置所述开闭阀的位置靠近所述气化部的位置处,用于探测所述处理气体供给管路内的气体的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造