[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820784219.9 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208173563U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 榎本忠;中村诚;铃木淳也;李光旺 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理气体供给 基板处理装置 气化部 本实用新型 处理工艺 开闭阀 气化器 气化 监测 压力传感器 处理气体 气体泄露 生成处理 位置靠近 收纳 处理液 对基板 探测仪 位置处 基板 连通 泄露 室内 改进 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
处理室,其收纳基板,在所述处理室内对所述基板进行处理;
气化部,在该气化部中将处理液气化来生成对基板进行处理所需的处理气体;
处理气体供给管路,其与所述气化部和所述处理室连通,用于将所述处理气体从所述气化部供给到所述处理室内;
开闭阀,其设置在所述处理气体供给管路,用于将所述处理气体供给管路打开和关闭;以及
压力传感器,其设置在所述处理气体供给管路的、比设置所述开闭阀的位置靠近所述气化部的位置处,用于探测所述处理气体供给管路内的气体的压力。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
接收部,其以能够从所述压力传感器接收数据的方式与所述压力传感器连接,接收由所述压力传感器探测到的压力值;
比较部,其从所述接收部获取所述压力传感器探测到的所述压力值,并将该压力值与规定的阈值进行比较;以及
判断部,其从所述比较部获取进行所述比较的结果来判断是否发生异常。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述比较部将所述压力传感器探测到的所述压力值同小于所述基板处理装置正常工作时所述处理气体供给管路内的压力的第一阈值进行比较,
所述判断部基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值小于所述第一阈值的结果作出所述基板处理装置异常的判断。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述比较部将所述压力传感器探测到的所述压力值同大于所述基板处理装置正常工作时所述处理气体供给管路内的压力的第二阈值进行比较,
所述判断部基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值大于所述第二阈值的结果作出所述基板处理装置异常的判断。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备控制部,该控制部基于所述判断部作出的所述基板处理装置异常的判断来停止所述基板处理装置。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
排气管路,其从所述处理气体供给管路的、设置所述开闭阀和所述压力传感器的位置之间的位置分支出,用于将所述处理气体供给管路中的气体排出;以及
排气阀,其设置在所述排气管路,用于将所述排气管路打开和关闭,
所述排气阀基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值大于所述第二阈值的结果打开,通过所述排气管路排气规定时间之后所述比较部再次进行比较,所述判断部基于所述比较部再次进行比较的所述压力传感器探测到的所述压力值大于所述第二阈值的结果作出所述基板处理装置异常的判断。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,还具备处理液供给部,
所述处理液供给部包括:
处理液供给源,其供给所述处理液;
处理液供给管路,其与所述处理液供给源和所述气化部连通,用于将所述处理液从所述处理液供给源供给到所述气化部;以及
处理液阀,其设置在所述处理液供给管路,用于将所述处理液供给管路打开和关闭。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述处理液供给部向所述气化部供给所述处理液期间,所述开闭阀关闭,所述比较部将所述压力传感器探测到的所述压力值同小于所述处理液供给部正常工作时所述处理气体供给管路内的压力的第三阈值进行比较,所述判断部基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值小于所述第三阈值的结果作出所述处理液供给部异常的判断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造