[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820784219.9 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208173563U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 榎本忠;中村诚;铃木淳也;李光旺 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理气体供给 基板处理装置 气化部 本实用新型 处理工艺 开闭阀 气化器 气化 监测 压力传感器 处理气体 气体泄露 生成处理 位置靠近 收纳 处理液 对基板 探测仪 位置处 基板 连通 泄露 室内 改进 | ||
本实用新型提供一种基板处理装置。以往,在利用气化器的处理工艺中,设置气体探测仪来监测是否发生了气体的泄露,该技术存在改进的余地。本实用新型的基板处理装置具备:处理室,其收纳基板,在该处理室中对基板进行处理;气化部,在气化部将处理液气化来生成处理气体;处理气体供给管路,其与气化部和处理室连通,将处理气体从气化部供给到处理室内;开闭阀,其设置在处理气体供给管路,将处理气体供给管路打开和关闭;以及压力传感器,其设置在处理气体供给管路的、比设置开闭阀的位置靠近气化部的位置处。通过本实用新型,提供一种在利用了气化器的处理工艺中能够更加精确地监测是否发生了气体泄露并兼顾监测多种异常的基板处理装置。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置,特别涉及一种使用了气化器的基板处理装置。
背景技术
作为对晶圆等基板进行的处理,存在使用处理气体进行的处理。在这种使用处理气体的处理中,有时利用气化器将常温下为液体的原料气化,使用气化得到的气体来对基板进行处理。
另外,本领域公知,在对基板进行的各处理工艺中,需要对处理室等的环境以及处理用液体、气体等的温度、浓度、使用量、压力等进行非常精确地控制,还需要对设备是否正常动作、发生故障等进行监测。
实用新型内容
实用新型要解决的问题
以往,在利用气化器的处理工艺中,在气化器的输出侧设置气体探测仪来监测是否发生了气体的泄露。然而,本实用新型的发明人经过研究发现,上述现有的技术还有改进的余地。
本实用新型的目的在于提供一种在利用了气化器的处理工艺中能够更加精确地监测是否发生了气体泄露并能够兼顾监测多种异常的基板处理装置。
用于解决问题的方案
本实用新型涉及基板处理装置,其特征在于,具备:处理室,其收纳基板,在所述处理室内对所述基板进行处理;气化部,在该气化部中将处理液气化来生成对基板进行处理所需的处理气体;处理气体供给管路,其与所述气化部和所述处理室连通,用于将所述处理气体从所述气化部供给到所述处理室内;开闭阀,其设置在所述处理气体供给管路,用于将所述处理气体供给管路打开和关闭;以及压力传感器,其设置在所述处理气体供给管路的、比设置所述开闭阀的位置靠近所述气化部的位置处,用于探测所述处理气体供给管路内的气体的压力。
也可以是,还具备:接收部,其以能够从所述压力传感器接收数据的方式与所述压力传感器连接,接收由所述压力传感器探测到的压力值;比较部,其从所述接收部获取所述压力传感器探测到的所述压力值,并将该压力值与规定的阈值进行比较;以及判断部,其从所述比较部获取进行所述比较的结果来判断是否发生异常。
也可以是,所述比较部将所述压力传感器探测到的所述压力值同小于所述基板处理装置正常工作时所述处理气体供给管路内的压力的第一阈值进行比较,所述判断部基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值小于所述第一阈值的结果作出所述基板处理装置异常的判断。
也可以是,所述比较部将所述压力传感器探测到的所述压力值同大于所述基板处理装置正常工作时所述处理气体供给管路内的压力的第二阈值进行比较,所述判断部基于所述比较部的所述压力传感器探测到的所述压力值大于所述第二阈值的结果作出所述基板处理装置异常的判断。
也可以是,还具备控制部,该控制部基于所述判断部作出的所述基板处理装置异常的判断来停止所述基板处理装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820784219.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:竖针板和提取装置
- 下一篇:一种二极管缠脚线夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造