[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201820601381.2 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN208142187U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底；有源区，位于半导体衬底内；浅沟槽，位于半导体衬底内，且位于有源区之间；氧化硅层，位于浅沟槽内，且至少覆盖于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上。本实用新型的半导体结构通过在半导体衬底内刻蚀形成隔离出有源区的浅沟槽内形成氧化硅层，在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 衬底 半导体结构 半导体 浅沟槽 本实用新型 氧化硅层 半导体器件 晶格损伤 使用效率 侧壁 刻蚀 隔离 消耗 修复 节约 保留 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底；有源区，位于所述半导体衬底内；浅沟槽，位于所述半导体衬底内，且位于所述有源区之间；及，氧化硅层，位于所述浅沟槽内，且至少覆盖于所述浅沟槽的底部及所述有源区的侧壁上。
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