[实用新型]半导体结构

说明书

本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底；有源区，位于半导体衬底内；浅沟槽，位于半导体衬底内，且位于有源区之间；氧化硅层，位于浅沟槽内，且至少覆盖于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上。本实用新型的半导体结构通过在半导体衬底内刻蚀形成隔离出有源区的浅沟槽内形成氧化硅层，在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及一种半导体结构。

背景技术

在现有的半导体工艺中，在半导体衬底(譬如晶圆)上制备半导体器件之前一般均需要对所述半导体衬底进行干法刻蚀，在所述半导体衬底内形成浅沟槽以在所述半导体衬底内隔离出若干个有源区，然后再在所述浅沟槽内填充绝缘材料层形成浅沟槽隔离结构；随后在所述有源区上制备各种所需的半导体器件。然后，在使用干法刻蚀工艺刻蚀半导体衬底形成有源区时，由于干法刻蚀的刻蚀气体中含有高能量的带电粒子或基团，所述带电粒子或基团轰击所述半导体衬底形成所述浅沟槽的同时，会在最终形成的所述有源区内形成晶格损伤。然而，由于最终要形成的半导体器件几乎均位于所述有源区内及所述有源区上，若所述有源区内形成的晶格损伤不能及时去除，存在于所述有源区内的晶格损伤必然会对半导体器件的性能造成不良影响；而且，随着半导体器件设计尺寸的日益减小，有源区内存在的晶格损伤对半导体器件的不良影响更加显著。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，用于解决现有技术中的半导体衬底内采用干法刻蚀工艺刻蚀浅沟槽形成有源区时会在有源区内形成晶格损伤，进而对在有源区上形成的半导体器件的性能造成不良影响的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体结构，所述半导体结构：

半导体衬底；

有源区，位于所述半导体衬底内；

浅沟槽，位于所述半导体衬底内，且位于所述有源区之间；及，

氧化硅层，位于所述浅沟槽内，且至少覆盖于所述浅沟槽的底部及所述有源区的侧壁上。

作为本实用新型的一种优选方案，所述氧化硅层的厚度小于最邻近两所述有源区间距的一半。

作为本实用新型的一种优选方案，所述氧化硅层还覆盖于所述有源区的上表面。

作为本实用新型的一种优选方案，所述氧化硅层的厚度小于等于200埃。

作为本实用新型的一种优选方案，所述半导体结构还包括含硅材料层，所述含硅材料层位于所述氧化硅层与所述有源区之间及所述氧化硅层与所述半导体衬底之间。

作为本实用新型的一种优选方案，所述氧化硅层由所述含硅材料层热氧化处理所形成。

作为本实用新型的一种优选方案，所述含硅材料层包括氮化硅层或多晶硅层。

作为本实用新型的一种优选方案，所述浅沟槽包括第一浅沟槽及第二浅沟槽，其中，所述第一浅沟槽的宽度大于所述第二浅沟槽的宽度，且所述第一浅沟槽的深度大于所述第二浅沟槽的深度。

作为本实用新型的一种优选方案，所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述氧化硅层的表面，且填满所述浅沟槽。

作为本实用新型的一种优选方案，所述半导体衬底为单晶硅衬底。

如上所述，本实用新型的半导体结构，具有以下有益效果：本实用新型的半导体结构通过在半导体衬底内刻蚀形成隔离出有源区的浅沟槽内形成氧化硅层，在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。