[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201820601381.2 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN208142187U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源区 衬底 半导体结构 半导体 浅沟槽 本实用新型 氧化硅层 半导体器件 晶格损伤 使用效率 侧壁 刻蚀 隔离 消耗 修复 节约 保留 覆盖 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
半导体衬底；
有源区，位于所述半导体衬底内；
浅沟槽，位于所述半导体衬底内，且位于所述有源区之间；及，
氧化硅层，位于所述浅沟槽内，且至少覆盖于所述浅沟槽的底部及所述有源区的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述氧化硅层的厚度小于最邻近两所述有源区间距的一半。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述氧化硅层还覆盖于所述有源区的上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述氧化硅层的厚度小于等于200埃。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括含硅材料层，所述含硅材料层位于所述氧化硅层与所述有源区之间及所述氧化硅层与所述半导体衬底之间。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述氧化硅层由所述含硅材料层热氧化处理所形成。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述含硅材料层包括氮化硅层或多晶硅层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述浅沟槽包括第一浅沟槽及第二浅沟槽，其中，所述第一浅沟槽的宽度大于所述第二浅沟槽的宽度，且所述第一浅沟槽的深度大于所述第二浅沟槽的深度。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述氧化硅层的表面，且填满所述浅沟槽。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体衬底为单晶硅衬底。
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