[实用新型]显示器件及其像素电路有效
| 申请号： | 201820458310.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN208141716U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 崔耀晨;陈红 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种像素电路。包括：连接走线，连接走线用于外接扫描线和数据线。第一存储电容，包括第一导电层、第一介电层和第二导电层，第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间。第二存储电容，包括第二导电层、第二介电层和第三导电层，第二介电层设置于第二导电层和第三导电层之间。连接走线设置在第二介电层上，与第三导电层位于同一膜层中。本实用新型还涉及一种具有上述像素电路的显示器件。本实用新型的显示器件及其像素电路，能够扩展像素电路的存储电容值，同时不会影响显示器件的开口率，并且不会增加工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 像素电路 介电层 第二导电层 显示器件 本实用新型 存储电容 导电层 第一导电层 走线 工艺步骤 走线设置 开口率 扫描线 数据线 膜层 外接 | ||
【主权项】：
1.一种像素电路，其特征在于，包括：连接走线(210)，所述连接走线(210)外接扫描线(410)和数据线(310)；第一存储电容(220)，包括第一导电层(221)、第一介电层(223)和第二导电层(222)，所述第一介电层(223)设置于所述第一导电层(221)和所述第二导电层(222)之间；第二存储电容(230)，包括位于所述第二导电层(222)远离所述第一导电层(221)一侧上方的第三导电层(231)、与第一存储电容共用的所述第二导电层(222)，和设置于所述第二导电层(222)和第三导电层(231)之间的第二介电层(233)；所述连接走线(210)设置在所述第二介电层(233)上，与所述第三导电层(231)位于同一膜层中。
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