[实用新型]显示器件及其像素电路有效

专利信息
申请号: 201820458310.1 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN208141716U 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 崔耀晨;陈红 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 唐清凯
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 像素电路 介电层 第二导电层 显示器件 本实用新型 存储电容 导电层 第一导电层 走线 工艺步骤 走线设置 开口率 扫描线 数据线 膜层 外接
【说明书】:

实用新型涉及一种像素电路。包括:连接走线,连接走线用于外接扫描线和数据线。第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层,第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间。第二存储电容,包括第二导电层、第二介电层和第三导电层,第二介电层设置于第二导电层和第三导电层之间。连接走线设置在第二介电层上,与第三导电层位于同一膜层中。本实用新型还涉及一种具有上述像素电路的显示器件。本实用新型的显示器件及其像素电路,能够扩展像素电路的存储电容值,同时不会影响显示器件的开口率,并且不会增加工艺步骤。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素电路和具有该像素电路的显示器件。

背景技术

近年来,随着显示技术的发展,显示器件的分辨率越来越高,像素单元的尺寸越来越小。特别是在有源矩阵显示器件中,像素电路更为复杂。同时还需要满足一定的开口率,使得存储电容的面积会越来越小,达不到理想的要求。

现有技术中,通常会牺牲开口率,扩大存储电容的面积,或是采用透明导电层作为存储电容。但是存储电容的面积仍然有限,电容量很难得到扩充。

实用新型内容

基于此,本实用新型提供了一种显示器件及其像素电路,能够扩展像素电路的存储电容值,同时不会影响显示器件的开口率,并且不会增加工艺步骤。

一种像素电路,包括:

连接走线,所述连接走线外接扫描线和数据线;

第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层组成,所述第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间;

第二存储电容,包括位于所述第二导电层(222)远离所述第一导电层(221) 一侧上方的第三导电层(231)、与第一存储电容共用的所述第二导电层(222),和设置于所述第二导电层(222)和第三导电层(231)之间的第二介电层(233);

所述连接走线设置在所述第二介电层上,与所述第三导电层位于同一膜层中。

上述像素电路,具有两个存储电容,并且第三导电层是与所述连接走线同时制备得到的,不会增加额外的工序。同时不需要扩大存储电容的面积,不会影响所述像素电路的开口率。

在其中一个实施例中,所述第三导电层与所述第一导电层电连接。

在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管具有栅极;

所述第一导电层与所述栅极电连接。

在其中一个实施例中,所述第二导电层与所述连接走线电连接。

在其中一个实施例中,所述第一导电层为所述栅极。

在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第一过孔,所述第三导电层与所述第一导电层通过所述第一过孔电连接。

在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第二过孔,所述第二导电层与所述连接走线通过所述第二过孔电连接。

在其中一个实施例中,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层在基板上的投影至少部分重叠。

本实用新型还涉及一种显示器件,包括:

扫描线;

数据线;

像素电路,包括:

连接走线,所述连接走线外接所述扫描线和所述数据线;

第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层,所述第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间;

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