[实用新型]显示器件及其像素电路有效
申请号: | 201820458310.1 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN208141716U | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 崔耀晨;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素电路 介电层 第二导电层 显示器件 本实用新型 存储电容 导电层 第一导电层 走线 工艺步骤 走线设置 开口率 扫描线 数据线 膜层 外接 | ||
本实用新型涉及一种像素电路。包括:连接走线,连接走线用于外接扫描线和数据线。第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层,第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间。第二存储电容,包括第二导电层、第二介电层和第三导电层,第二介电层设置于第二导电层和第三导电层之间。连接走线设置在第二介电层上,与第三导电层位于同一膜层中。本实用新型还涉及一种具有上述像素电路的显示器件。本实用新型的显示器件及其像素电路,能够扩展像素电路的存储电容值,同时不会影响显示器件的开口率,并且不会增加工艺步骤。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素电路和具有该像素电路的显示器件。
背景技术
近年来,随着显示技术的发展,显示器件的分辨率越来越高,像素单元的尺寸越来越小。特别是在有源矩阵显示器件中,像素电路更为复杂。同时还需要满足一定的开口率,使得存储电容的面积会越来越小,达不到理想的要求。
现有技术中,通常会牺牲开口率,扩大存储电容的面积,或是采用透明导电层作为存储电容。但是存储电容的面积仍然有限,电容量很难得到扩充。
实用新型内容
基于此,本实用新型提供了一种显示器件及其像素电路,能够扩展像素电路的存储电容值,同时不会影响显示器件的开口率,并且不会增加工艺步骤。
一种像素电路,包括:
连接走线,所述连接走线外接扫描线和数据线;
第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层组成,所述第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间;
第二存储电容,包括位于所述第二导电层(222)远离所述第一导电层(221) 一侧上方的第三导电层(231)、与第一存储电容共用的所述第二导电层(222),和设置于所述第二导电层(222)和第三导电层(231)之间的第二介电层(233);
所述连接走线设置在所述第二介电层上,与所述第三导电层位于同一膜层中。
上述像素电路,具有两个存储电容,并且第三导电层是与所述连接走线同时制备得到的,不会增加额外的工序。同时不需要扩大存储电容的面积,不会影响所述像素电路的开口率。
在其中一个实施例中,所述第三导电层与所述第一导电层电连接。
在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管具有栅极;
所述第一导电层与所述栅极电连接。
在其中一个实施例中,所述第二导电层与所述连接走线电连接。
在其中一个实施例中,所述第一导电层为所述栅极。
在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第一过孔,所述第三导电层与所述第一导电层通过所述第一过孔电连接。
在其中一个实施例中,所述像素电路还包括第二过孔,所述第二导电层与所述连接走线通过所述第二过孔电连接。
在其中一个实施例中,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层在基板上的投影至少部分重叠。
本实用新型还涉及一种显示器件,包括:
扫描线;
数据线;
像素电路,包括:
连接走线,所述连接走线外接所述扫描线和所述数据线;
第一存储电容,包括第一导电层、第一介电层和第二导电层,所述第一介电层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820458310.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板和显示装置
- 下一篇:面板