[实用新型]一种高电子迁移率晶体管外延结构有效
| 申请号： | 201820436749.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN208142186U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 江风益;刘军林;张建立;全知觉;莫春兰;王小兰;吴小明;徐龙权;丁杰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 合并层 应力层 位错 高电子迁移率晶体管 晶格常数差异 本实用新型 侧向外延 外延结构 高阻层 硅衬底 缓冲层 电子迁移率 击穿电压 直接生长 沟道层 势垒层 层位 盖层 引入 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。
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