[实用新型]一种高电子迁移率晶体管外延结构有效
| 申请号： | 201820436749.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN208142186U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 江风益;刘军林;张建立;全知觉;莫春兰;王小兰;吴小明;徐龙权;丁杰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 合并层 应力层 位错 高电子迁移率晶体管 晶格常数差异 本实用新型 侧向外延 外延结构 高阻层 硅衬底 缓冲层 电子迁移率 击穿电压 直接生长 沟道层 势垒层 层位 盖层 引入 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。
2.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述AlN应力层的厚度为h，其中10nm≤h≤50nm。
3.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述缓冲层为由AlN，AlxGa(1-x)N，AlyGa(1-y)N依次组成的三层结构，其中0.5≤x≤0.9，0.2≤y≤0.6，且y＜x。
4.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述的缓冲层为由AlN，AlxGa(1-x)N，AlyGa(1-y)N，GaN依次组成的四层结构，其中0.5≤x≤0.9，0.2≤y≤0.6，且y＜x。
5.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述高阻层为掺杂碳元素的GaN层，厚度为2μm～5μm，所述GaN高阻层的碳元素掺杂浓度为1×1018～1×1020/cm3。
6.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述沟道层为非故意掺杂的GaN层，厚度为100nm～500nm。
7.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述势垒层为AlxGa(1-x)N层，厚度为10nm～30nm，其中0.1≤x≤0.5。
8.根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：所述盖层为SiN或P-GaN。
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