[实用新型]一种三维平行板电极半导体探测器及探测装置

摘要

本实用新型属于辐射探测技术领域，公开了一种三维平行板电极半导体探测器，设置有：两个电极板分别为阴极电极和阳极电极；电极板通过贯穿刻蚀，离子注入或扩散掺杂工艺形成在半导体基体上；半导体基体上通过贯穿刻蚀，离子注入或扩散掺杂工艺形成第一电极板、第二电极板。本实用新型抗辐射性能强，电极间即探测器内部电场分布均匀，解决了中正负电极间的电场分布不均匀，存在大面积弱电场区，单个探测器单元结构的大小对抗辐射性能影响大，不方便调节从而不能控制探测器位置分辨率的问题，减少了弱电场区域，提高探测器的单元及阵列探测效率。且电极在半导体内可以贯穿刻蚀，电极间距可以在可控范围内调整，从而使得探测器性能不受芯片厚度限制。

主权项

1.一种三维平行板电极半导体探测器，其特征在于，三维平行板电极半导体探测器设置有：阴极电极和阳极电极；阴极电极和阳极电极通过贯穿刻蚀，离子注入或扩散掺杂工艺形成在半导体基体上。