[实用新型]一种三维平行板电极半导体探测器及探测装置有效
| 申请号: | 201820379774.3 | 申请日: | 2019-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN208835074U | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 李正;刘曼文 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/10 |
| 代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 赵红霞 |
| 地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电极板 电极 探测器 刻蚀 半导体探测器 半导体基体 本实用新型 平行板电极 扩散掺杂 贯穿 离子 三维 控制探测器 弱电场区域 探测器单元 位置分辨率 电场分布 方便调节 辐射探测 辐射性能 厚度限制 内部电场 探测装置 阳极电极 阴极电极 阵列探测 正负电极 不均匀 抗辐射 场区 可控 弱电 半导体 芯片 对抗 | ||
1.一种三维平行板电极半导体探测器,其特征在于,三维平行板电极半导体探测器设置有:
阴极电极和阳极电极;
阴极电极和阳极电极通过贯穿刻蚀,离子注入或扩散掺杂工艺形成在半导体基体上。
2.如权利要求1所述的三维平行板电极半导体探测器,其特征在于,半导体基体上通过贯穿刻蚀,离子注入或扩散掺杂工艺形成第一电极板、第二电极板。
3.如权利要求2所述的三维平行板电极半导体探测器,其特征在于,第一电极板、第二电极板上面镀有用于引出信号或者加电压的金属层。
4.如权利要求2所述的三维平行板电极半导体探测器,其特征在于,三维平行板电极半导体探测器的底部长有与上面相同厚度的二氧化硅。
5.一种如权利要求1所述三维平行板电极半导体探测器的三维平行板电极半导体探测装置,其特征在于,三维平行板电极半导体探测阵列装置由多个三维平行板电极半导体探测器单元串联形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820379774.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:沟槽肖特基半导体器件
- 下一篇:太阳能电池片正面电极
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





