[实用新型]一种铝电极LED芯片有效
| 申请号： | 201820218197.X | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN207925508U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;赵兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种铝电极LED芯片，包括衬底，设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极，设于第二半导体层上的第二电极；其中，第一电极和第二电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层、第二Al层、第二Ti层、第三Al层、第三Ti层和第四Al层。本申请的芯片在不增加电极厚度的情况下，通过Ti层将Al层间隔开来，避免Al层过厚而出现粗糙结构，进而防止电极出现粗糙结构，产生黑点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 衬底表面 粗糙结构 第二电极 第一电极 发光结构 铝电极 电极 源层 本实用新型 衬底 黑点 芯片 贯穿 申请 | ||
【主权项】：
1.一种铝电极LED芯片，包括：衬底；设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极；设于第二半导体层上的第二电极；其中，第一电极和第二电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层、第二Al层、第二Ti层、第三Al层、第三Ti层和第四Al层。
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