[实用新型]一种铝电极LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种铝电极LED芯片，包括衬底，设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极，设于第二半导体层上的第二电极；其中，第一电极和第二电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层、第二Al层、第二Ti层、第三Al层、第三Ti层和第四Al层。本申请的芯片在不增加电极厚度的情况下，通过Ti层将Al层间隔开来，避免Al层过厚而出现粗糙结构，进而防止电极出现粗糙结构，产生黑点。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种铝电极LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势,广泛应用于照明、显示屏、交通信号灯、汽车灯以及特种照明灯等领域。

现有LED芯片的电极大多数使用热稳定性以及延展性较好的黄金制作而成。但是，随着LED芯片行业的快速发展，黄金高昂价格成为突出的问题，需要找到一种可以替代黄金而且价格低廉的金属作为LED芯片的电极材料。其中，金属铝因其成本低、金属性良好，而被用作于LED芯片电极。但是，铝与外延层之间具有一定的差异，现有工艺通过将Cr层作为电极的底层，然后在Cr层上形成Al层、Ti层、Cr层、Ti层等，最后形成较厚的Al层。由于最后的Al层厚度较大，具体的，最后Al层的厚度为10000-20000埃。在蒸镀制作过程中，由于铝金属本身固有的物理、化学特性，主要是容易氧化及受高温后容易迁移)，从而导致LED芯片电极表面粗糙，在显微镜暗场下表现为黑点形态，在封装时，电极上的黑点会导致机台无法正确识别LED芯片而发生异常。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种铝电极LED芯片，将现有电极的Al层改为Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al结构，在不改变电极厚度的情况下，可以防止电极表面变得粗糙，从而提高LED芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有铝电极LED芯片，包括：

衬底；

设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极；

设于第二半导体层上的第二电极；

其中，第一电极和第二电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层、第二Al层、第二Ti层、第三Al层、第三Ti层和第四Al层。

作为上述方案的改进，所述第一Cr层的厚度为15-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为4000-8000埃，第二Ti层的厚度为500-1000埃、第三Al层的厚度为4000-8000埃、第三Ti层的厚度为500-1000埃、第四Al层的厚度为4000-8000埃。

作为上述方案的改进，所述第一Cr层的厚度为20-25埃，第一Al层的厚度为1200-1400埃，第二Cr层的厚度为150-250埃，第一Ti层的厚度为600-800埃，第二Al层的厚度为6000-8000埃，第二Ti层的厚度为600-800埃、第三Al层的厚度为6000-8000埃、第三Ti层的厚度为600-800埃、第四Al层的厚度为6000-8000埃。

作为上述方案的改进，在所述第二半导体层和第二电极之间依次设有电流阻挡层和透明导电层，其中，第二电极设置在透明导电层上。

作为上述方案的改进，所述透明导电层上设有一层绝缘层。