[实用新型]一种铝电极LED芯片有效
| 申请号： | 201820218197.X | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN207925508U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;赵兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 衬底表面 粗糙结构 第二电极 第一电极 发光结构 铝电极 电极 源层 本实用新型 衬底 黑点 芯片 贯穿 申请 | ||
1.一种铝电极LED芯片，包括：
衬底；
设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极；
设于第二半导体层上的第二电极；
其中，第一电极和第二电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层、第二Al层、第二Ti层、第三Al层、第三Ti层和第四Al层。
2.根据权利要求1所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为15-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为4000-8000埃，第二Ti层的厚度为500-1000埃、第三Al层的厚度为4000-8000埃、第三Ti层的厚度为500-1000埃、第四Al层的厚度为4000-8000埃。
3.根据权利要求2所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为20-25埃，第一Al层的厚度为1200-1400埃，第二Cr层的厚度为150-250埃，第一Ti层的厚度为600-800埃，第二Al层的厚度为6000-8000埃，第二Ti层的厚度为600-800埃、第三Al层的厚度为6000-8000埃、第三Ti层的厚度为600-800埃、第四Al层的厚度为6000-8000埃。
4.根据权利要求1所述的铝电极LED芯片，其特征在于，在所述第二半导体层和第二电极之间依次设有电流阻挡层和透明导电层，其中，第二电极设置在透明导电层上。
5.根据权利要求4所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上设有一层绝缘层。
6.根据权利要求4所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为SiO2或Si3N4。
7.根据权利要求4所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡。
8.根据权利要求5所述的铝电极LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO2。
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