[实用新型]半导体引线键合工装夹具及其加热块结构有效
| 申请号： | 201820142282.2 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN207765419U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 卢红平;刘肖松;秦超奎;朱莉莉 | 申请（专利权）人： | 上海泰睿思微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 汪家瀚 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区南*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体引线键合工装夹具及其加热块结构，所述加热块具有相对的顶面及底面，所述加热块设有贯穿所述顶面及所述底面的真空孔；其中，所述加热块的顶面成形为平面；所述真空孔内部成形有支撑肋，所述支撑肋的顶端成形为缕空平面，所述缕空平面与加热块的顶面齐平连接；令所述加热块用于键合引线框架及芯片时，真空孔对应位于芯片引线焊接区下方；从而通过在真空孔内部一体成形有端面与加热块顶面连接的支撑肋，能够在真空吸附的同时提供芯片引线焊接区支撑，以降低加热块真空孔对键合超声能量的损失，同时提升焊线质量与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 加热块 真空孔 顶面 支撑肋 键合 半导体引线 工装夹具 芯片引线 焊接区 成形 本实用新型 超声能量 顶端成形 顶面齐平 键合引线 一体成形 真空吸附 底面 焊线 良率 芯片 贯穿 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种半导体引线键合加热块结构，所述加热块具有相对的顶面及底面，所述加热块设有贯穿所述顶面及所述底面的真空孔；其特征在于：所述加热块的顶面成形为平面；所述真空孔内部成形有支撑肋，所述支撑肋的顶端成形为缕空平面，所述缕空平面与加热块的顶面齐平连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
