[实用新型]半导体引线键合工装夹具及其加热块结构

说明书

本实用新型提供一种半导体引线键合工装夹具及其加热块结构，所述加热块具有相对的顶面及底面，所述加热块设有贯穿所述顶面及所述底面的真空孔；其中，所述加热块的顶面成形为平面；所述真空孔内部成形有支撑肋，所述支撑肋的顶端成形为缕空平面，所述缕空平面与加热块的顶面齐平连接；令所述加热块用于键合引线框架及芯片时，真空孔对应位于芯片引线焊接区下方；从而通过在真空孔内部一体成形有端面与加热块顶面连接的支撑肋，能够在真空吸附的同时提供芯片引线焊接区支撑，以降低加热块真空孔对键合超声能量的损失，同时提升焊线质量与良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体引线键合技术领域，具体来说涉及用于引线键合的工装夹具及其加热块结构。

背景技术

DFN(双边扁平无铅封装)是一种小型电子元器件的封装形式的名称。其中，如图1所示，型号Tiny(Q)DFN的引线框架以高密度设计为主，其包括了引线框架20以及呈矩阵排列布置于所述引线框架20上的多列芯片引线焊接区21，各所述芯片引线焊接区21上设有芯片30。所述Tiny(Q)DFN引线框架的引线键合制程主要通过如图1所示的工装夹具10进行压合步骤，所述工装夹具10包括压板11及加热块12，所述压板11设置能够概括多列芯片引线焊接区21的大面积开窗13，所述加热块12顶部成形为平面14，借此，通过将引线框架20及芯片30夹置于压板11及加热块12之中，实现一次压合多列半导体产品完成引线键合，且所述引线框架20通过预埋在加热块12中的真空孔15吸引固定在加热块12的平面14上，避免在引线键合过程中发生晃动，有利于提升引线键合制程的键合质量与良率。

值得注意的是，如图2所示，现有加热块12的真空孔15对应位于引线框架20的芯片引线焊接区21下方，不仅使得芯片引线焊接区21部分区域悬空无支撑，同时也对键合设备22焊针的超声能量造成损耗作用，导致了焊点球脱的问题，有待进一步改善。

实用新型内容

鉴于上述情况，本实用新型提供一种半导体引线键合工装夹具及其加热块结构，以解决现有引线键合工装夹具的加热块真空孔造成的焊接能量损耗问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是提供一种半导体引线键合加热块结构，所述加热块具有相对的顶面及底面，所述加热块设有贯穿所述顶面及所述底面的真空孔；其中，所述加热块的顶面成形为平面；所述真空孔内部成形有支撑肋，所述支撑肋的顶端成形为缕空平面，所述缕空平面与加热块的顶面齐平连接。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋成形为截面呈十字形的条状支撑结构。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋成形有四个肋部，所述四个肋部成形为沿所述真空孔贯穿方向延伸的扁条状结构，所述肋部的一侧集中与其他肋部的一侧连接，另一侧与所述真空孔的孔壁连接。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋成形为截面呈一字形的条状支撑结构。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋成形为截面呈人字形的条状支撑结构。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋成形有三个肋部，所述三个肋部成形为沿所述真空孔贯穿方向延伸的扁条状结构，所述肋部的一侧集中与其他肋部的一侧连接，另一侧与所述真空孔的孔壁连接。

本实用新型的加热块结构实施例中，所述支撑肋贯设形成所述加热块的真空孔。

另外，本实用新型还提供一种半导体引线键合工装夹具，其用于键合引线框架及芯片，所述引线框架上设有芯片引线焊接区；其中，所述工装夹具包括压板以及如前所述的加热块实施例，所述加热块的真空孔对应位于所述芯片引线焊接区下方。

本实用新型的工装夹具实施例中，所述压板成形有开窗部以及操作部；所述加热块的真空孔包括对应于所述开窗部的第一真空孔以及对应于所述操作部的第二真空孔，所述第一真空孔内部设有所述支撑肋，所述第二真空孔内部完全中空无支撑结构。