[实用新型]一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备有效
申请号: | 201820100608.5 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN207765415U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军;邹开峰;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 常州比太黑硅科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 张红;程立民 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,包括按工艺顺序依次设置的装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔;装载腔、工艺腔及卸载腔分别通过泵管路对应设置有装载泵、工艺泵及卸载泵;装载腔和卸载腔分别设置载板顶升机构,装载腔的载板顶升机构用于两块未处理载板的同时进出,卸载腔的载板顶升机构用于两块处理后载板的同时进出,载板在装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔之间由链式辊轮输送。由于采用了载板顶升机构,使得装载腔和卸载腔一次可以进出两块载板,因此大大提高设备的产能并由于减少了回填气体的频率而大大降低了能耗。 | ||
搜索关键词: | 载板 卸载腔 装载腔 顶升机构 缓冲腔 工艺腔 链式 传输真空 镀膜设备 刻蚀 本实用新型 高产 依次设置 泵管路 工艺泵 块处理 未处理 卸载泵 回填 产能 辊轮 能耗 装载 | ||
【主权项】:
1.一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,其特征在于,包括:按工艺顺序依次设置的装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔,所述装载腔与缓冲腔一之间设置有可启闭的真空隔板一,所述缓冲腔一、工艺腔及缓冲腔二为连通的腔室,所述缓冲腔二与卸载腔之间设置有可启闭的真空隔板二;所述装载腔通过泵管路对应设置有装载泵,所述工艺腔通过泵管路对应设置有工艺泵,所述卸载腔通过泵管路对应设置有卸载泵;所述装载腔和卸载腔分别对应设置有载板顶升机构,所述装载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述装载腔的其中一块载板顶升以实现所述装载腔内同时进入两块载板,所述卸载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述卸载腔的其中一块载板顶升以实现所述卸载腔内同时进入两块载板,所述载板在所述装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔之间由链式辊轮输送。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造