[实用新型]一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备有效
| 申请号: | 201820100608.5 | 申请日: | 2018-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN207765415U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
| 发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军;邹开峰;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 常州比太黑硅科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 张红;程立民 |
| 地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载板 卸载腔 装载腔 顶升机构 缓冲腔 工艺腔 链式 传输真空 镀膜设备 刻蚀 本实用新型 高产 依次设置 泵管路 工艺泵 块处理 未处理 卸载泵 回填 产能 辊轮 能耗 装载 | ||
1.一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,其特征在于,包括:
按工艺顺序依次设置的装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔,所述装载腔与缓冲腔一之间设置有可启闭的真空隔板一,所述缓冲腔一、工艺腔及缓冲腔二为连通的腔室,所述缓冲腔二与卸载腔之间设置有可启闭的真空隔板二;
所述装载腔通过泵管路对应设置有装载泵,所述工艺腔通过泵管路对应设置有工艺泵,所述卸载腔通过泵管路对应设置有卸载泵;
所述装载腔和卸载腔分别对应设置有载板顶升机构,所述装载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述装载腔的其中一块载板顶升以实现所述装载腔内同时进入两块载板,所述卸载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述卸载腔的其中一块载板顶升以实现所述卸载腔内同时进入两块载板,所述载板在所述装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔之间由链式辊轮输送。
2.根据权利要求1所述的一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,其特征在于,所述装载泵与卸载泵为同一台共用的真空泵,该共用的所述真空泵通过泵管路同时控制所述装载腔及卸载腔,并通过控制所述载板进出所述装载腔和卸载腔的节拍和流程及充分利用所述真空泵工作间歇时间以实现一个所述真空泵同时服务于所述装载腔和卸载腔;且当设备由于故障出现所述装载腔和卸载腔节拍干涉时,通过程序控制所述卸载腔优先工作以保证设备工艺顺畅,从而使设备恢复到正常的生产节拍。
3.根据权利要求2所述的一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,其特征在于,所述真空泵的泵管路分为两路并联的泵管支路分别连接至所述装载腔与卸载腔,并在所述装载腔及卸载腔的泵管支路上设置阀门以实现交替控制所述装载腔与卸载腔进行抽真空。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,其特征在于,所述缓冲腔一及缓冲腔二内均设置有所述载板顶升机构,所述缓冲腔一及缓冲腔二内的载板顶升机构均包括升降台以用于将进入所述缓冲腔一缓冲腔二的其中一块载板顶升以实现所述缓冲腔一及缓冲腔二内同时进入两块载板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





