[实用新型]一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备有效
申请号: | 201820100608.5 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN207765415U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军;邹开峰;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 常州比太黑硅科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 张红;程立民 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载板 卸载腔 装载腔 顶升机构 缓冲腔 工艺腔 链式 传输真空 镀膜设备 刻蚀 本实用新型 高产 依次设置 泵管路 工艺泵 块处理 未处理 卸载泵 回填 产能 辊轮 能耗 装载 | ||
本实用新型公开了一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,包括按工艺顺序依次设置的装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔;装载腔、工艺腔及卸载腔分别通过泵管路对应设置有装载泵、工艺泵及卸载泵;装载腔和卸载腔分别设置载板顶升机构,装载腔的载板顶升机构用于两块未处理载板的同时进出,卸载腔的载板顶升机构用于两块处理后载板的同时进出,载板在装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔之间由链式辊轮输送。由于采用了载板顶升机构,使得装载腔和卸载腔一次可以进出两块载板,因此大大提高设备的产能并由于减少了回填气体的频率而大大降低了能耗。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池硅片生产技术领域,特别涉及一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备。
背景技术
在链式传输真空镀膜或刻蚀工艺设备上,为提高生产节拍,一般设备需要配备装载腔(进样腔)、工艺腔和卸载腔(出样腔)三个腔室,通过装载和卸载腔来实现待加工物料在真空状态下与工艺腔进行对接,充分利用工艺腔,提高效率和节约能耗。
参考图1及2,常规的链式传输真空镀膜或刻蚀工艺设备依次包括装载腔11、缓冲腔一51、工艺腔21、缓冲腔二52和卸载腔31,装载腔11通过泵管路13单独连接有装载泵12,工艺腔21通过泵管路23单独连接有工艺泵22,卸载腔31通过泵管路33单独连接有卸载泵32,工作时缓冲腔一51、工艺腔21和缓冲腔二52为连通一体的腔室并在工艺泵22的作用下一直处于真空状态以确保工艺腔21内刻蚀或镀膜工艺正常进行。
但是,常规方式每次只能人工或机械手将一块装载有硅片的载板41放入装载腔11后封闭装载腔11的入口,此时缓冲腔一51的入口处于封闭状态,然后启动装载泵12对处于封闭状态的装载腔11进行抽真空,然后打开缓冲腔一51的入口使装载腔11与缓冲腔一51连通并同时处于真空状态,则卸载腔11内的载板41在链式辊轮61的作用下由装载腔11输送至缓冲腔一51并进一步输送至工艺腔21进行镀膜或刻蚀处理,然后经过镀膜或刻蚀处理的载板41在链式辊轮61的带动下继续输送至缓冲腔二52,此时缓冲腔二52的出口处于封闭状态,而此时卸载腔31的出口封闭并在卸载泵32的作用下抽真空,缓冲腔二52内的载板41由链式辊轮61输送至处于真空状态的卸载腔31内并关闭缓冲腔二52的出口,然后打开卸载腔31的出口即可将处理后的载板41进行卸载。
由于常规方式的装载腔11和卸载腔31一次只能通过链式辊轮61进出一块载板41,而现有技术的工艺腔21内镀膜或刻蚀工艺具有较高的处理效率,因而常规的每次进出一块载板51难以满足现有技术的镀膜或刻蚀工艺处理速度,从而导致设备产能较低;而且,装载腔11和卸载腔31每次进出一块载板41后均需要打开出入口以进行再次进料及卸料,该过程需要对装载泵12或卸载泵32每次进出载板41均需要进行大气回填然后再抽真空,如此往复的大气回填及抽真空过程无疑存在着巨大的能耗。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备,包括:
按工艺顺序依次设置的装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔,所述装载腔与缓冲腔一之间设置有可启闭的真空隔板一,所述缓冲腔一、工艺腔及缓冲腔二为连通的腔室,所述缓冲腔二与卸载腔之间设置有可启闭的真空隔板二;
所述装载腔通过泵管路对应设置有装载泵,所述工艺腔通过泵管路对应设置有工艺泵,所述卸载腔通过泵管路对应设置有卸载泵;
所述装载腔和卸载腔分别对应设置有载板顶升机构,所述装载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述装载腔的其中一块载板顶升以实现所述装载腔内同时进入两块载板,所述卸载腔的载板顶升机构包括升降台以用于将进入所述卸载腔的其中一块载板顶升以实现所述卸载腔内同时进入两块载板,所述载板在所述装载腔、缓冲腔一、工艺腔、缓冲腔二及卸载腔之间由链式辊轮输送。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造