[发明专利]一种芯片ESD保护电路的仿真电路和方法有效
| 申请号： | 201811643069.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109752612B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘海飞;何贵振 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R1/36;G06F30/367 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710003 陕西省西安市高新区软件*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片ESD保护电路的仿真电路及方法，通过仿真能够提前找到芯片中抗ESD能力差的器件，并优化电路，提高芯片抗ESD的能力。所述仿真电路包括连接在电源电压VDD和公共接地电压VSS之间的一个ESD激励源，一个ESD保护模块和至少一个功能模块；所述的ESD激励源用于按照设定的ESD电流特性曲线加载ESD电压；所述的ESD保护模块中设置有电源钳位NMOS管NESD，电源钳位NMOS管NESD的漏极设置一个电流监测器Ifail与电源电压VDD连接，源极连接公共接地电压VSS；所述的功能模块中设置有CMOS管N1，CMOS管N1的栅极和漏极之间，以及栅极和源级之间分别设置一个电压监测器Efail。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 esd 保护 电路 仿真 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司，未经西安紫光国芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811643069.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种事件处理方法、装置及存储介质
- 下一篇：道路作业人员安全预警系统
