[发明专利]非易失性存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201811642635.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384056B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈耿川 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40;H10B41/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器及其形成方法。通过在浮置栅极靠近字线的顶表面上形成第一尖端结构，以调整浮置栅极在靠近字线的端部形貌，使浮置栅极中靠近字线的端部具有第二尖端结构。基于此所构成的非易失性存储器中在其执行擦除操作时，能够增强浮置栅极在第二尖端结构处的电场强度，从而更有利于实现浮置栅极中的电子遂穿至字线中，有效提高了存储器的擦除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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